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σ相晶間沉淀理論:對于低碳高鉻高鉬不銹鋼，不存在鉻不良條件，但在650 ~ 850℃熱處理時，會形成42 ~ 48%的鉻σ相FeCr金屬間化合物。在過鈍化電位下，相腐蝕嚴重。陽極溶解電流急劇上升。σ可能是相本身的選擇性溶解。σ相FeCr金屬間化合物只能溶解在強氧化介質(zhì)中。因此，必須用65%的強氧化沸騰硝酸檢測這類腐蝕，使不銹鋼的腐蝕電位達到過鈍化區(qū)。
晶間腐蝕的特點是當金屬表面沒有損傷時，晶粒間的結合力和金屬的脆響已經(jīng)喪失。在嚴重的情況下，只要輕輕敲擊，它就會碎成粉末。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。
根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導致晶界處銅含量較低。
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