晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質(zhì)中沿晶界發(fā)生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結(jié)處的排列必須逐漸從一個取向轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪粋€取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結(jié)構(gòu)缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內(nèi)。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質(zhì)中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)。

P. Si、B等雜質(zhì)元素沿晶界偏析引起的非敏化晶間腐蝕只是晶界與晶體間形成化學(xué)濃度差而引起的簡單電化學(xué)腐蝕過程，或者是偏析導(dǎo)致的晶界耐蝕性下降，或者還有其他因素，需要進(jìn)一步探討。

晶間腐蝕的控制方法如下:1。減少或消除有害雜質(zhì)。如降低碳、氮、硫等雜質(zhì)的含量。加入穩(wěn)定元素或晶界吸附元素。如在不銹鋼中加入Ti, Nb或B。適當(dāng)?shù)臒崽幚砉に嚒?.必須避免在敏化區(qū)加熱不銹鋼。焊件應(yīng)在焊后進(jìn)行固溶處理或快速冷卻，以避免停留在敏化溫度和時間。4. 采用雙相鋼。奧氏體鋼中含有10 ~ 20%鐵素體的鋼稱為雙相鋼。由于鐵素體在鋼中主要沿晶界形成，鉻含量高，在敏化溫度范圍內(nèi)不會產(chǎn)生嚴(yán)重的稀釋。

根據(jù)稀釋理論,晶間腐蝕是由于組件的稀釋晶界由于容易沉淀的第二階段的晶界(1)奧氏體不銹鋼,鉻缺乏是由于晶界Cr23C6階段的降水,(2)對于Ni Mo合金，ni7mo5在晶界處析出，鉬在晶界處含量較低;(3)對于銅鋁合金，CuAl2在晶界處析出，導(dǎo)致晶界處銅含量較低。